仪式现场，湖南三安总经理江协龙先生发表致辞。他表示：“此次碳化硅芯片的成功上车，是三安从技术攻坚迈向市场引领的关键一步。这一成果充分验证了我们全产业链垂直整合模式在保障产品品质与供应链稳定上的显著优势。”江协龙强调，未来湖南三安将继续坚定推进以“车规化、平台化、高效能、全链自主”为核心的发展战略，致力于为理想汽车这样的行业领军企业提供更领先、更可靠的功率半导体解决方案，共同推动新能源汽车产业的技术进步。
理想汽车动力驱动研发副总裁刘强博士对合作成果给予高度评价。他在发言中指出：“与三安的合作是理想汽车在核心电驱系统供应链上进行前瞻性、深度布局的关键环节。湖南三安在第三代半导体技术领域的战略布局以及其新一代碳化硅芯片所展现出的卓越产品力，为理想汽车纯电车型的研发落地和快速迭代提供了坚实的技术支撑。我们期待与三安持续深化合作，共同探索前沿技术应用，携手推动新能源汽车产业的创新与变革。”
在随后进行的技术交流环节中，湖南三安技术长许志维博士与理想汽车研发团队围绕碳化硅芯片在提升电驱系统效率、优化充电性能以及未来平台化应用等前沿议题进行了深入研讨。双方技术专家一致认为，基于湖南三安在8英寸衬底技术、低缺陷密度先进工艺方面的深厚积累，将为理想汽车高压平台车型的持续开发与性能升级提供强有力的核心芯片支持。为纪念这一具有里程碑意义的时刻，湖南三安向理想汽车赠送了象征其先进技术水平的8英寸SiC MOSFET芯片成品。这份特殊的礼物，不仅体现了湖南三安在宽禁带半导体材料与芯片设计制造领域的领先实力，也寄托了对双方未来合作迈向更广阔领域、更高水平的诚挚祝愿与坚定信心。
